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IRF6604
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
m ?
BV DSS
?Β V DSS / ? T J
R DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
30
–––
–––
–––
–––
27
9.0
10
–––
–––
11.5
13
V V GS = 0V, I D = 250μA
mV/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 7.0V, I D = 12A
V GS = 4.5V, I D = 9.6A
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
1.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
-4.5
–––
–––
–––
–––
–––
2.1 V
––– mV/°C
30 μA
50 μA
100
100 nA
-100
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 24V, V GS = 0V
V DS = 30V, V GS = 0V
V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = 12V
V GS = -12V
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
38
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
17
4.1
1.0
6.3
5.6
7.3
9.5
–––
26
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
nC
V DS = 15V, I D = 9.6A
V DS = 15V
V GS = 4.5V
I D = 9.6A
See Fig. 16
V DS = 16V, V GS = 0V
R G
t d(on)
t r
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
–––
–––
–––
1.1
11
4.3
2.0
–––
–––
?
V DD = 15V, V GS = 4.5V
I D = 9.6A
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
18
25
2270
420
190
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
Clamped Inductive Load
V GS = 0V
V DS = 15V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
–––
–––
–––
32
9.6
0.23
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
42
MOSFET symbol
D
I SM
(Body Diode)
Pulsed Source Current
–––
–––
92
A
showing the
integral reverse
G
p-n junction diode.
V SD
t rr
Q rr
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
0.94
31
26
1.2
47
39
V
ns
nC
S
T J = 25°C, I S = 9.6A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 9.6A
di/dt = 100A/μs
2
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